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PECVD法生長氮化硅工藝的研究

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級別:| 積分:0 分 | 瀏覽:80928 | 大小:500.09KB | 下載:4469 次 | 上傳:2013-09-30

簡介:

采用了等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在聚 酰亞胺犧牲層上生長氮化硅薄膜,討論沉積溫度、射頻功率、反應(yīng)氣體流量比等工藝參數(shù)對氮化硅薄膜的生長速率、氮硅比、殘余應(yīng)力等性能的影響,得到適合制作接觸式射頻 MEMS開關(guān)中懸梁的氮化硅薄膜的最佳工藝條件。

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