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CIGS薄膜太陽(yáng)能電池吸收層制備工藝綜述d

CIGS薄膜太陽(yáng)能電池吸收層制備工藝綜述d

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級(jí)別:| 積分:0 分 | 瀏覽:89986 | 大。789.34KB | 下載:5419 次 | 上傳:2012-06-30

簡(jiǎn)介:

CIGS 薄膜太陽(yáng)能電池具有高光吸收系數(shù)、高轉(zhuǎn)化效率、高穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn), 已經(jīng)成為太陽(yáng)能電池領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。其小樣品最高轉(zhuǎn)化效率已達(dá)19.9%, 可與多晶硅電池的轉(zhuǎn)化效率( 20.3%) 媲美; 其大面積電池組件轉(zhuǎn)化效率一般在10%~15%范圍內(nèi), 根據(jù)各膜層材料組分及制備工藝的不同而有所變化。綜述了CIGS 薄膜太陽(yáng)能電池吸收層的各種制備工藝及其產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

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